High-K Dielectric Materials sind Materialien mit einer hohen Dielektrizitätskonstante (K), die in der Mikroelektronik, insbesondere in der Herstellung von Transistoren und Kondensatoren, verwendet werden. Im Vergleich zu traditionellen Dielektrika wie Siliziumdioxid, das eine K von etwa 3,9 hat, weisen High-K Materialien K-Werte von 10 bis über 100 auf. Diese höheren Werte ermöglichen eine dünnere Dielektrikschicht, was die Miniaturisierung von Bauelementen fördert und gleichzeitig die Leistung verbessert. Zu den häufig verwendeten High-K Materialien gehören Hafniumoxid (HfO₂) und Zirkoniumoxid (ZrO₂). Der Einsatz solcher Materialien trägt zur Reduzierung der Leckströme bei, was besonders wichtig für die Energieeffizienz moderner Mikroprozessoren und Speicherbausteine ist.
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