Silicon-On-Insulator (SOI) Transistoren sind eine spezielle Art von Transistoren, die auf einer isolierenden Schicht aus Siliziumdioxid (SiO₂) basieren. Diese Struktur besteht aus einer dünnen Siliziumschicht, die auf einem Substrat aus Siliziumdioxid aufgebracht ist. Der Hauptvorteil von SOI-Transistoren gegenüber herkömmlichen Siliziumtransistoren ist die verbesserte elektrische Isolation zwischen den Transistoren, was zu einer geringeren Leckströmen und einer höheren Leistung führt. Darüber hinaus ermöglichen SOI-Transistoren eine höhere Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte thermische Stabilität, was sie besonders attraktiv für Anwendungen in der Hochfrequenz- und Hochleistungs-Elektronik macht. Die Technologie wird zunehmend in der Mikroelektronik eingesetzt, um die Anforderungen an moderne integrierte Schaltungen zu erfüllen.
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