In der Nanofabrikation sind Chemical Vapor Deposition (CVD) und Atomic Layer Deposition (ALD) zwei weit verbreitete Verfahren zur Herstellung dünner Schichten. CVD ist ein kontinuierlicher Prozess, bei dem gasförmige Vorläufer in eine Reaktionskammer eingeführt werden, um eine chemische Reaktion zu induzieren, die eine dickere Schicht auf dem Substrat ablagert. Im Gegensatz dazu erfolgt ALD in zyklischen Schritten, bei denen die Vorläufer nacheinander und in kontrollierten Mengen zugeführt werden, um atomare Schichten mit extrem präziser Dicke zu erzeugen. Dies ermöglicht ALD, eine höhere Oberflächenuniformität und weniger Defekte zu erreichen, während CVD in der Regel schneller ist und dickere Schichten in kürzerer Zeit ablagern kann. Daher wird CVD häufig für Anwendungen benötigt, bei denen Geschwindigkeit entscheidend ist, während ALD bevorzugt wird, wenn hohe Präzision und Kontrolle über die Schichtdicke erforderlich sind.
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