Resistive Ram (ReRAM oder RRAM) ist eine nicht-flüchtige Speichertechnologie, die auf der Änderung des elektrischen Widerstands eines Materials basiert, um Daten zu speichern. Im Gegensatz zu herkömmlichen Speichertechnologien wie DRAM oder Flash, die auf Ladungsspeicherung beruhen, nutzt ReRAM die Fähigkeit bestimmter Materialien, ihre Leitfähigkeit durch Anwendung eines elektrischen Stroms zu verändern. Diese Veränderungen im Widerstand können in zwei Zustände unterteilt werden: einen hohen Widerstandszustand (HRS) und einen niedrigen Widerstandszustand (LRS).
Die Vorteile von ReRAM umfassen hohe Geschwindigkeit, geringen Energieverbrauch und hohe Dichte, was es zu einem vielversprechenden Kandidaten für zukünftige Speicherlösungen macht. Zusätzlich ermöglicht die Technologie eine potenzielle Integration in neuromorphe Systeme, die auf der Nachahmung von neuronalen Netzwerken basieren, was die Entwicklung von intelligenten Speichersystemen fördert.
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