Die Messung von Spannungen in Dünnschichten (Thin Film Stress Measurement) ist ein wichtiger Prozess in der Materialwissenschaft und der Mikroelektronik, da die mechanischen Eigenschaften dünner Filme entscheidend für die Leistung von Bauteilen sind. Diese Spannungen können durch verschiedene Faktoren verursacht werden, wie z.B. Temperaturänderungen, chemische Reaktionen oder die Abscheidungstechniken, die zur Herstellung der Filme verwendet werden.
Zur Messung der Spannungen werden häufig Techniken wie die Wafer-Biegemethode oder die X-ray Diffraction (XRD) angewendet. Bei der Wafer-Biegemethode wird die Krümmung eines Substrats gemessen, das eine dünne Schicht enthält, und die resultierende Biegung kann verwendet werden, um die interne Spannung zu berechnen. Mathematisch kann die Beziehung zwischen der Krümmung und der Spannung durch die Formel
beschrieben werden, wobei der Elastizitätsmodul und die Poisson-Zahl ist. Eine präzise Messung dieser Spannungen ist entscheidend, um die Zuverlässigkeit und Lebensdauer von Halbleiterbauelementen zu gewährleisten.
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