Electron Beam Lithography (EBL) ist ein präzises Verfahren zur Strukturierung von Materialien auf mikroskopischer Ebene, das häufig in der Halbleiterfertigung und der Nanotechnologie eingesetzt wird. Bei diesem Prozess wird ein fokussierter Elektronenstrahl auf ein beschichtetes Substrat gerichtet, das mit einem elektronensensitiven Material, dem sogenannten Resist, bedeckt ist. Durch die Wechselwirkung der Elektronen mit dem Resist werden bestimmte Bereiche des Materials chemisch verändert, was es ermöglicht, feine Muster zu erzeugen.
Die Auflösung von EBL kann bis in den Nanometerbereich reichen, was es zu einer idealen Technik für die Herstellung von Nanostrukturen und -schaltungen macht. Im Gegensatz zu traditionellen Lithographieverfahren bietet EBL die Flexibilität, komplexe Designs ohne die Notwendigkeit von Masken zu erstellen, was die Entwicklungszeit für Prototypen erheblich verkürzt. Allerdings ist die EBL im Vergleich zu anderen Lithographiemethoden oft langsamer und teurer, was ihre Anwendung auf spezifische Nischenmärkte beschränkt.
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