Charge Trapping in Halbleitern bezieht sich auf den Prozess, bei dem elektrische Ladungen in bestimmten Bereichen eines Halbleitermaterials gefangen gehalten werden. Dies geschieht häufig in Defekten oder Verunreinigungen innerhalb des Halbleiters, die als Fallen fungieren. Wenn ein Elektron in eine solche Falle gelangt, kann es dort für eine gewisse Zeit verbleiben, was die elektrischen Eigenschaften des Materials beeinflusst. Diese gefangenen Ladungen können die Leitfähigkeit verändern und zu einer Erhöhung der Schaltverluste in elektronischen Bauelementen führen. Ein wichtiges Konzept in diesem Zusammenhang ist die Energiebarriere, die die Bewegung der Ladungen zwischen dem Valenzband und der Falle beschreibt. Mathematisch kann dies durch die Gleichung für den thermischen Tunneleffekt beschrieben werden, die die Wahrscheinlichkeit angibt, dass ein Elektron die Barriere überwindet.
Starte dein personalisiertes Lernelebnis mit acemate. Melde dich kostenlos an und finde Zusammenfassungen und Altklausuren für deine Universität.