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Persistent Data Structures

Persistente Datenstrukturen sind Datenstrukturen, die es ermöglichen, frühere Versionen von Daten zu speichern und zu rekonstruieren, ohne die aktuellen Daten zu verändern. Dies bedeutet, dass bei jeder Änderung an der Struktur eine neue Version erstellt wird, während die alten Versionen weiterhin zugänglich bleiben. Persistente Datenstrukturen können in zwei Hauptkategorien unterteilt werden: vollständig persistent und teilweise persistent. Bei vollständig persistenten Datenstrukturen sind alle Versionen sowohl lesbar als auch schreibbar, während bei teilweise persistenten Strukturen nur die neuesten Versionen schreibbar sind, während ältere Versionen nur lesbar bleiben.

Ein häufiges Beispiel für persistente Datenstrukturen sind Listen oder Bäume, die mit Techniken wie Copy-on-Write oder Path Copying implementiert werden. Diese Strukturen sind besonders nützlich in Szenarien wie der Versionskontrolle in Softwareprojekten oder in funktionalen Programmiersprachen, wo Unveränderlichkeit ein zentrales Konzept ist.

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Adaptive PID-Regelung

Adaptive PID-Regelung ist eine Weiterentwicklung der klassischen PID-Regelung, die in dynamischen Systemen eingesetzt wird, deren Eigenschaften sich im Laufe der Zeit ändern können. Die Abkürzung PID steht für Proportional, Integral und Differential, die drei grundlegenden Komponenten, die zur Regelung eines Systems beitragen. Bei der adaptiven PID-Regelung werden die Parameter (Kp, Ki, Kd) automatisch angepasst, um sich an die aktuellen Bedingungen des Systems anzupassen und die Regelgüte zu optimieren. Dies ermöglicht eine verbesserte Reaktionsfähigkeit und Stabilität, insbesondere in Systemen mit variablen oder unvorhersehbaren Dynamiken. Ein typisches Beispiel für die Anwendung sind Prozesse in der chemischen Industrie, wo die Reaktionsbedingungen sich ständig ändern können. Die mathematische Anpassung der Parameter erfolgt häufig durch Algorithmen, die auf Methoden wie Model Predictive Control oder Störungsmodellierung basieren.

Beta-Funktion-Integral

Das Beta-Funktion-Integral ist eine wichtige mathematische Funktion, die in der Analysis, Wahrscheinlichkeitstheorie und Statistik weit verbreitet ist. Die Beta-Funktion, definiert als

B(x,y)=∫01tx−1(1−t)y−1 dtB(x, y) = \int_0^1 t^{x-1} (1-t)^{y-1} \, dtB(x,y)=∫01​tx−1(1−t)y−1dt

für x>0x > 0x>0 und y>0y > 0y>0, beschreibt das Verhalten von Integralen, die Produkte von Potenzen enthalten. Die Funktion kann auch in Bezug zur Gamma-Funktion ausgedrückt werden, wobei gilt:

B(x,y)=Γ(x)Γ(y)Γ(x+y)B(x, y) = \frac{\Gamma(x) \Gamma(y)}{\Gamma(x+y)}B(x,y)=Γ(x+y)Γ(x)Γ(y)​

Die Beta-Funktion findet Anwendung in verschiedenen Bereichen, wie etwa der Statistik zur Beschreibung von Beta-Verteilungen, und spielt eine entscheidende Rolle in der Integralrechnung. Eine besondere Eigenschaft ist die Symmetrie, die besagt, dass B(x,y)=B(y,x)B(x, y) = B(y, x)B(x,y)=B(y,x). Diese Funktion hilft oft bei der Berechnung von Wahrscheinlichkeiten und der Analyse von Verteilungen.

Multijunction-Solarzellenphysik

Multijunction-Solarzellen sind fortschrittliche photovoltaische Materialien, die aus mehreren Schichten bestehen, die jeweils auf verschiedene Wellenlängen des Sonnenlichts abgestimmt sind. Diese Schichten sind so konzipiert, dass sie die Absorption des Lichts maximieren und die Effizienz der Umwandlung von Sonnenenergie in elektrische Energie erhöhen. Der Hauptvorteil dieser Technologie liegt in ihrer Fähigkeit, die Bandlücken der Materialien gezielt zu wählen, sodass jede Schicht die Energie eines bestimmten Teils des Lichtspektrums nutzen kann.

Ein typisches Beispiel ist die Verwendung von Materialien wie Galliumarsenid (GaAs) für die obere Schicht und Indiumgalliumphosphid (InGaP) für die mittlere Schicht. Dabei folgt die Effizienz oft einer Beziehung, die durch die Schichten und deren Bandlücken definiert ist. Die theoretische maximale Effizienz einer Multijunction-Solarzelle kann bis zu 45% erreichen, verglichen mit nur etwa 20% für herkömmliche einlagige Solarzellen, da sie einen größeren Teil des Spektrums des Sonnenlichts effektiv nutzen können.

Suffixbaumkonstruktion

Die Konstruktion eines Suffixbaums ist ein entscheidender Schritt in der Textverarbeitung und der Algorithmusforschung. Ein Suffixbaum ist eine kompakte Datenstruktur, die alle Suffixe eines gegebenen Strings speichert und es ermöglicht, effizient nach Mustern zu suchen und verschiedene Textoperationen durchzuführen. Der Prozess beginnt mit der Auswahl eines Eingabestrings SSS und dem Hinzufügen eines speziellen Endsymbols, um die Suffixe korrekt zu terminieren.

Ein häufig verwendeter Algorithmus zur Konstruktion eines Suffixbaums ist der Ukkonen-Algorithmus, der in linearer Zeit O(n)O(n)O(n) arbeitet, wobei nnn die Länge des Strings ist. Der Algorithmus arbeitet iterativ und fügt Schritt für Schritt Suffixe hinzu, während er die Struktur des Baums dynamisch anpasst. Dies führt zu einer effizienten Speicherung und ermöglicht die schnelle Suche nach Substrings, die für Anwendungen in der Bioinformatik, der Datenkompression und der Informationssuche von Bedeutung sind.

Hopcroft-Karp Matching

Das Hopcroft-Karp-Algorithmus ist ein effizienter Algorithmus zur Berechnung eines maximalen Matchings in bipartiten Graphen. Ein bipartiter Graph besteht aus zwei Mengen von Knoten, wobei Kanten nur zwischen Knoten aus verschiedenen Mengen existieren. Der Algorithmus kombiniert zwei Hauptphasen: die Suche nach augmentierenden Pfaden und die Aktualisierung des Matchings. Durch eine geschickte Anwendung von Breadth-First Search (BFS) und Depth-First Search (DFS) gelingt es, die Anzahl der benötigten Iterationen erheblich zu reduzieren, wodurch die Laufzeit auf O(EV)O(E \sqrt{V})O(EV​) sinkt, wobei EEE die Anzahl der Kanten und VVV die Anzahl der Knoten im Graphen ist. Die Idee hinter dem Algorithmus ist, dass durch das Finden und Ausnutzen von augmentierenden Pfaden das Matching schrittweise vergrößert wird, bis kein weiterer augmentierender Pfad mehr gefunden werden kann.

Graphen-Nanoribbon-Transporteigenschaften

Graphene-Nanoribbons (GNRs) sind dünne Streifen aus Graphen, die einzigartige Transporteigenschaften aufweisen und aufgrund ihrer strukturellen Eigenschaften sowohl für elektronische als auch für optoelektronische Anwendungen von großem Interesse sind. Die Transportcharakteristik von GNRs hängt stark von ihrer Breite und der Art ihrer Kanten (zigzag oder armchair) ab, was zu unterschiedlichen elektrischen Leitfähigkeiten führt. Bei zigzag-Nanoribbons zum Beispiel können elektronische Zustände am Kantenrand existieren, die die Leitfähigkeit erhöhen, während armchair-Nanoribbons eine Bandlücke aufweisen, die die Transportfähigkeit bei bestimmten Bedingungen beeinflussen kann.

Die Transportparameter wie Mobilität und Leitfähigkeit werden auch durch Faktoren wie Temperatur, Verunreinigungen und Defekte beeinflusst. Mathematisch lassen sich diese Eigenschaften oft durch die Gleichung für den elektrischen Strom III in Abhängigkeit von der Spannung VVV und dem Widerstand RRR darstellen:

I=VRI = \frac{V}{R}I=RV​

Insgesamt zeigen GNRs vielversprechende Eigenschaften für zukünftige Technologien, insbesondere in der Entwicklung von nanoelektronischen Bauelementen und Sensoren.