Siliziumkarbid (SiC) ist ein Halbleitermaterial, das zunehmend in der Leistungselektronik eingesetzt wird. Im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumbauelementen bietet SiC eine höhere Energieeffizienz, verbesserte Wärmeleitfähigkeit und die Fähigkeit, höhere Spannungen und Temperaturen zu bewältigen. Diese Eigenschaften machen SiC besonders attraktiv für Anwendungen in der Elektromobilität, erneuerbaren Energien und in der Industrie, wo die Effizienz von Energieumwandlungsprozessen entscheidend ist.
Die Verwendung von SiC in Leistungselektronik ermöglicht auch eine Reduzierung der Größe und des Gewichts von elektrischen Geräten, da sie mit höheren Frequenzen betrieben werden können. Ein Beispiel für die Anwendung sind SiC-MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), die in Wechselrichtern und Stromversorgungen eingesetzt werden, um die Gesamtleistung zu steigern und die Energiekosten zu senken.
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