Spin-Valve-Strukturen sind innovative Materialien, die den Spin von Elektronen nutzen, um die magnetischen Eigenschaften zu steuern und zu messen. Sie bestehen typischerweise aus zwei ferromagnetischen Schichten, die durch eine nicht-magnetische Schicht, oft aus Kupfer oder Silber, getrennt sind. Die magnetisierten Schichten können in unterschiedlichen Ausrichtungen sein, was zu variierenden elektrischen Widerständen führt. Dieser Effekt, bekannt als Giant Magnetoresistance (GMR), wird in verschiedenen Anwendungen eingesetzt, wie z.B. in Festplattenlaufwerken und Spintronik-Geräten.
Die grundlegende Funktionsweise basiert darauf, dass der Widerstand der Spin-Valve-Struktur stark vom relativen Spin-Zustand der beiden ferromagnetischen Schichten abhängt. Ist der Spin parallel ausgerichtet, ist der Widerstand niedrig, während ein antiparalleles Arrangement einen höheren Widerstand aufweist. Dies ermöglicht die Entwicklung von hochsensitiven Sensoren und Speichertechnologien, die auf der Manipulation und Nutzung von Spin-Informationen basieren.
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