Eine Tunnel-Diode ist ein spezieller Halbleiterbauelement, das durch den quantenmechanischen Tunnel-Effekt funktioniert. Im Gegensatz zu herkömmlichen Dioden, die eine Schwelle benötigen, um leitend zu werden, zeigt die Tunnel-Diode ein negatives Widerstandsverhalten in einem bestimmten Spannungsbereich. Dies bedeutet, dass der Strom nicht nur bei steigender Spannung zunimmt, sondern auch abnimmt, was zu einer charakteristischen I-V-Kurve führt.
Die Funktionsweise der Tunnel-Diode beruht auf der starken Dotierung von p- und n-Typ-Halbleitermaterialien, was zu einer sehr dünnen pn-Übergangsregion führt. Wenn eine Spannung an die Diode angelegt wird, können Elektronen durch den Energiebarriere tunneln, selbst wenn die Spannung unter der sogenannten Durchbruchsspannung liegt. Dieses Verhalten ermöglicht Anwendungen in hochfrequenten Schaltungen und als Schalter in digitalen Logikschaltungen.
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