Der Tunneling Field-Effect Transistor (TFET) ist ein innovativer Transistortyp, der auf dem Prinzip des quantenmechanischen Tunnels basiert. Im Gegensatz zu herkömmlichen MOSFETs, die auf thermischer Erregung beruhen, nutzen TFETs den Tunneling-Effekt, um Elektronen durch eine energetische Barriere zu bewegen. Dies ermöglicht eine geringere Betriebsspannung und höhere Energieeffizienz, was sie besonders attraktiv für moderne Anwendungen in der Nanoelektronik macht.
Der TFET besteht typischerweise aus einer p-n-Übergangsstruktur, wobei der Tunneling-Effekt zwischen den beiden Bereichen auftritt, wenn eine geeignete Spannung anliegt. Die mathematische Beziehung, die das Verhalten des TFET beschreibt, kann durch den Stromfluss in Abhängigkeit von der Gate-Spannung und der Drain-Spannung dargestellt werden:
Hierbei steht für die Schwellenspannung, für die Bandlücke, für die Boltzmann-Konstante und für die
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