Die Ladungsträgerbeweglichkeit (Charge Carrier Mobility) in Halbleitern beschreibt, wie schnell sich elektrische Ladungsträger, wie Elektronen und Löcher, durch das Material bewegen können, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird. Ihre Mobilität wird oft durch den Parameter μ (Mikro) dargestellt und hängt von verschiedenen Faktoren ab, darunter die Temperatur, die Dotierungskonzentration und die Kristallstruktur des Halbleiters. Die Mobilität kann mathematisch durch die Beziehung
definiert werden, wobei die Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger und die Stärke des elektrischen Feldes ist. Eine hohe Mobilität bedeutet, dass die Ladungsträger schnell und effizient transportiert werden können, was entscheidend für die Leistung von elektronischen Bauelementen wie Transistoren und Dioden ist. In der Praxis können verschiedene Mechanismen, wie Streuung durch phononische oder strukturelle Defekte, die Mobilität einschränken und somit die Effizienz von Halbleiterbauelementen beeinflussen.
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