Phase-Change Memory (PCM) ist eine nichtflüchtige Speichertechnologie, die auf den Phasenübergängen von Materialien basiert, um Daten zu speichern. Diese Technologie nutzt spezielle Legierungen, die zwischen amorphen und kristallinen Zuständen wechseln können. Im amorphen Zustand sind die Atome ungeordnet und speichern "0", während im kristallinen Zustand die Atome geordnet sind und "1" speichern. Der Übergang zwischen diesen Zuständen wird durch gezielte Wärmebehandlung erreicht, die durch elektrische Impulse erzeugt wird. PCM bietet im Vergleich zu herkömmlichem Flash-Speicher eine höhere Schreibgeschwindigkeit, bessere Haltbarkeit und eine größere Anzahl von Schreibzyklen, was es zu einem vielversprechenden Kandidaten für zukünftige Speicherlösungen macht.
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