Die Schottky Diode ist eine spezielle Art von Halbleiterdiode, die durch die Verbindung eines Halbleitermaterials, meist Silizium, mit einem Metall, wie Gold oder Platin, entsteht. Diese Diode ist bekannt für ihre schnelle Schaltgeschwindigkeit und niedrigen Vorwärtsspannungsabfall, der typischerweise zwischen 0,15 V und 0,45 V liegt, im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumdioden, die einen Vorwärtsspannungsabfall von etwa 0,7 V aufweisen.
Ein wesentliches Merkmal der Schottky Diode ist die Schottky-Barriere, die sich an der Grenzfläche zwischen dem Metall und dem Halbleiter bildet. Diese Barriere ermöglicht eine effiziente Steuerung des Stromflusses in Durchlassrichtung und verhindert den Rückfluss in Sperrrichtung. Aufgrund ihrer Eigenschaften finden Schottky Dioden häufig Anwendung in Gleichrichterschaltungen, Schaltnetzteilen und Hochfrequenzanwendungen, wo hohe Geschwindigkeiten und geringe Verlustleistungen gefragt sind.
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