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Reissner-Nordström Metric

Die Reissner-Nordström Metric beschreibt die Raum-Zeit um ein elektrisch geladenes, nicht rotierendes schwarzes Loch. Sie ist eine Erweiterung der Schwarzschild-Lösung, die sich auf masselose, elektrisch neutrale Objekte konzentriert. Die Metrik berücksichtigt sowohl die Masse MMM des Objekts als auch seine elektrische Ladung QQQ. Mathematisch wird die Reissner-Nordström Metrik durch die folgende Gleichung beschrieben:

ds2=−(1−2Mr+Q2r2)dt2+(1−2Mr+Q2r2)−1dr2+r2dΩ2ds^2 = -\left(1 - \frac{2M}{r} + \frac{Q^2}{r^2}\right) dt^2 + \left(1 - \frac{2M}{r} + \frac{Q^2}{r^2}\right)^{-1} dr^2 + r^2 d\Omega^2ds2=−(1−r2M​+r2Q2​)dt2+(1−r2M​+r2Q2​)−1dr2+r2dΩ2

Hierbei ist dΩ2d\Omega^2dΩ2 der verschiedene Ausdruck für die Oberfläche einer Kugel. Die Metrik zeigt, dass die elektrischen Ladungen die Struktur der Raum-Zeit beeinflussen und zur Entstehung von zusätzlichen Singularitäten führen können. Insbesondere zeigt sie, dass elektrische Ladung nicht nur die Gravitation, sondern auch das elektromagnetische Feld in der Nähe des schwarzen Lochs beeinflusst.

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Pareto-Effizienz

Pareto Efficiency, auch als Pareto-Optimalität bekannt, ist ein Konzept aus der Wirtschaftswissenschaft, das eine Ressourcenzuteilung beschreibt, bei der es nicht möglich ist, jemanden besserzustellen, ohne dabei eine andere Person schlechterzustellen. In einem Zustand der Pareto-Effizienz sind alle Ressourcen so verteilt, dass jeder Nutzen maximiert ist, und jede Umverteilung der Ressourcen zu einer Person zu Lasten einer anderen Person führen würde.

Mathematisch ausgedrückt ist eine Verteilung von Ressourcen xxx Pareto-effizient, wenn es keinen anderen Punkt yyy gibt, so dass yyy mindestens eine Person besserstellt und keine Person schlechterstellt. Ein Beispiel zur Veranschaulichung: Angenommen, es gibt zwei Personen, A und B, und sie teilen sich einen Kuchen. Wenn A mehr Kuchen bekommt, kann B nur weniger bekommen, was bedeutet, dass die aktuelle Verteilung Pareto-effizient ist, solange es keine Möglichkeit gibt, beide besserzustellen.

Ladungsträgerbeweglichkeit in Halbleitern

Die Ladungsträgerbeweglichkeit (Charge Carrier Mobility) in Halbleitern beschreibt, wie schnell sich elektrische Ladungsträger, wie Elektronen und Löcher, durch das Material bewegen können, wenn ein elektrisches Feld angelegt wird. Ihre Mobilität wird oft durch den Parameter μ (Mikro) dargestellt und hängt von verschiedenen Faktoren ab, darunter die Temperatur, die Dotierungskonzentration und die Kristallstruktur des Halbleiters. Die Mobilität kann mathematisch durch die Beziehung

μ=vdE\mu = \frac{v_d}{E}μ=Evd​​

definiert werden, wobei vdv_dvd​ die Driftgeschwindigkeit der Ladungsträger und EEE die Stärke des elektrischen Feldes ist. Eine hohe Mobilität bedeutet, dass die Ladungsträger schnell und effizient transportiert werden können, was entscheidend für die Leistung von elektronischen Bauelementen wie Transistoren und Dioden ist. In der Praxis können verschiedene Mechanismen, wie Streuung durch phononische oder strukturelle Defekte, die Mobilität einschränken und somit die Effizienz von Halbleiterbauelementen beeinflussen.

Thermoelektrische Kühleinheiten

Thermoelectric Cooling Modules, auch als Peltier-Elemente bekannt, sind Geräte, die die thermoelektrische Effekte nutzen, um Wärme zu transportieren. Sie bestehen aus zwei unterschiedlichen Halbleitermaterialien, die auf einer keramischen Platte angeordnet sind. Wenn ein elektrischer Strom durch das Modul fließt, wird eine Seite des Moduls kalt und die andere Seite heiß, was den Effekt der thermoelektrischen Kühlung erzeugt. Diese Art der Kühlung ist besonders vorteilhaft, da sie keine beweglichen Teile benötigt, was zu einem leisen Betrieb und einer langen Lebensdauer führt. Thermoelektrische Kühlung findet Anwendung in verschiedenen Bereichen, darunter Kühlschränke, Laptops, und medizinische Geräte.

Ein weiterer Vorteil ist die Möglichkeit, die Kühlleistung durch Anpassung des elektrischen Stroms zu steuern, was sie zu einer flexiblen Lösung für verschiedene Kühlbedürfnisse macht.

Kovalente organische Gerüste

Covalent Organic Frameworks (COFs) sind eine Klasse von porösen Materialien, die durch kovalente Bindungen zwischen organischen Bausteinen gebildet werden. Diese Materialien zeichnen sich durch ihre hohe Stabilität, gute Zugänglichkeit für Moleküle und designbare Porenstrukturen aus, was sie für eine Vielzahl von Anwendungen in der Katalyse, Gasspeicherung und in der Sensorik interessant macht. COFs besitzen eine hohe spezifische Oberfläche, die oft mehrere tausend Quadratmeter pro Gramm betragen kann, was ihre Effizienz in der Moleküladsorption und Trennung erhöht. Durch die gezielte Auswahl der Bausteine und der Reaktionsbedingungen können Forscher die Eigenschaften der COFs maßgeschneidert anpassen, um spezifische funktionale Anforderungen zu erfüllen. Diese Flexibilität macht COFs zu einem vielversprechenden Material in der modernen Materialwissenschaft und Nanotechnologie.

Hüllentheorem

Das Envelope Theorem ist ein wichtiges Konzept in der Mikroökonomie und Optimierungstheorie, das sich mit der Änderung des optimalen Wertes einer Funktion in Bezug auf eine Änderung ihrer Parameter beschäftigt. Es besagt, dass die Ableitung der optimalen Lösung einer Optimierungsaufgabe nach einem Parameter gleich der Ableitung der Wertfunktion nach diesem Parameter ist, ohne dass die Funktion selbst differenziert werden muss.

Formal ausgedrückt, wenn wir eine Funktion f(x,θ)f(x, \theta)f(x,θ) haben, die maximiert wird, wobei θ\thetaθ ein Parameter ist, und x∗(θ)x^*(\theta)x∗(θ) die optimale Lösung ist, dann gilt:

dVdθ=∂f∂θ∣x=x∗(θ)\frac{dV}{d\theta} = \frac{\partial f}{\partial \theta}\bigg|_{x = x^*(\theta)}dθdV​=∂θ∂f​​x=x∗(θ)​

Hierbei ist VVV die Wertfunktion, die den maximalen Wert von fff unter den gegebenen Bedingungen darstellt. Dieses Theorem ist besonders nützlich, da es oft schwierig ist, die gesamte Funktion zu analysieren, während die Auswirkungen von Parameteränderungen auf die optimalen Entscheidungen klarer hervorgehoben werden können.

Zusammengefasst zeigt das Envelope Theorem auf elegante Weise, wie sich optimale Werte bei Änderungen von Parametern verhalten, ohne dass eine vollständige Neuberechnung der Optimierungsprobleme erforderlich

Dielektrischer Durchbruchsschwellenwert

Der Dielectric Breakdown Threshold bezeichnet die Spannung, bei der ein Isoliermaterial seine Fähigkeit verliert, elektrischen Strom zu blockieren, und stattdessen leitend wird. Dieser Effekt tritt auf, wenn die elektrische Feldstärke, die durch das Material wirkt, einen kritischen Wert überschreitet, was zu einer plötzlichen Zunahme des Stromflusses führt. Der Breakdown kann durch verschiedene Faktoren beeinflusst werden, einschließlich der Materialart, der Temperatur und der Verunreinigungen im Material.

Die elektrische Feldstärke EEE, die benötigt wird, um den Durchbruch zu erreichen, wird oft in Volt pro Meter (V/m) angegeben. Es ist wichtig zu beachten, dass der Dielectric Breakdown Threshold nicht nur von den physikalischen Eigenschaften des Materials abhängt, sondern auch von der Art der angelegten Spannung (z. B. Wechsel- oder Gleichspannung). Ein Beispiel für die Anwendung ist in Hochspannungsleitungen, wo das Verständnis dieses Schwellenwertes entscheidend für die Sicherheit und Effizienz der Stromübertragung ist.